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肖特基建立势垒理论 

1938年,德国物理学家肖特基应用势垒概念,建立了解释金属半导体接触整流作用的理论。金属和半导体接触时,由于金属的功函数一般和半导体的功函数不同而存在接触电势差。肖特基假设接触处的半导体衣表面不存在表面态,理论上证明出以下结论:功函数较大的金属与n型半导体之间的接触,以及功函数较小的金属与p型半导体之间的接触,都会在半导体一侧形成势垒,阻碍多数载流子的运动(称为阻挡层);反之,功函数较小的金属与n型半导体接触,或者功函数较大的金属与p型半导体接触,则在界面的半导体一侧会发生多数载流子浓度比半导体内部还要高的情形(称为反阻挡层)。换言之,金属和半导体之间的接触是否形成接触势垒,取决于它们功函数的大小比较。而同一种半导体与不同金属接触时,形成的势垒高度同金属的功函数有关。后来,人们将这种势垒称为肖特基势垒。肖特基势垒的宽度与外加电压无关。

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